[发明专利]基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法无效
| 申请号： | 201010270528.2 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101924028A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;戴振清;徐东;张丽英;陈海燕 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种纳米器件技术领域的基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法，通过在硅片上采用标准的光刻和lift-off工艺制作出电极对，然后将碳化硅纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的碳化硅纳米线溶液，在电极对上施加交流信号电压后，将碳化硅纳米线溶液滴在电极对之间，使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。本发明通过简单、方便、高效的工艺方法，实现碳化硅纳米线在电极间的定向排布。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电泳 技术 碳化硅 纳米 定向 有序 排布 方法 | ||
【主权项】：
一种基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，电极制备：在硅片上采用标准的光刻和lift off工艺制作出电极对；第二步，SiC纳米线溶液制备：将SiC纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的SiC纳米线溶液；第三步，SiC纳米线的介电泳排布：在电极对上施加交流信号电压后，将SiC纳米线溶液滴在电极对之间，使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010270528.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分路加密传输交易信息的可靠传递方法
- 下一篇：手提灭火器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
