[发明专利]半导体器件结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201010270100.8 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386212A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构，包括：多个相同柱状的第一外延层，该第一外延层以预定间距分布在硅衬底的表面上；多个第二外延层，每个第二外延层形成于位于两个相临的所述第一外延层之间的沟槽中；多个第三外延层，分别形成于所述第二外延层上。本发明还公开了一种所述半导体器件结构的制作方法。本发明能够提高沟槽内外延层的载流子总量在纵向上分布上的均匀性，优化电荷平衡能力，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：多个相同柱状的第一外延层，该第一外延层以预定间距分布在硅衬底的表面上；多个第二外延层，每个第二外延层形成于位于两个相临的所述第一外延层之间的沟槽中；其特征在于：还包括多个第三外延层，分别形成于所述第二外延层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010270100.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
