[发明专利]一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法有效
| 申请号： | 201010264600.0 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101969031A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 葛永明;许卫岗 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，包括：步骤一.将二极管晶粒与引线通过焊锡膏进行熔接；步骤二.将所述二极管晶粒进行酸腐蚀；步骤三.使用去离子水清洗二极管晶粒表面残留化学成分；步骤四.将二极管晶粒边缘包裹绝缘胶、并进行烘烤固化；步骤五.将环氧树脂加热融化后包裹于所述引线及二极管晶粒外部，保证产品具备必要的机械强度；所述去离子水为带有热量的去离子水，该热量通过空气源热泵空调将步骤四或和步骤五的环境热量，转移至所述去离子水中。本发明充分利用生产流程中的热量清洗二极管晶粒，不仅清洗效果更优，而且环保低耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 二极管 晶粒 封装 流程 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，包括：步骤一.将二极管晶粒与引线通过焊锡膏进行熔接；步骤二.将所述二极管晶粒进行酸腐蚀；步骤三.使用去离子水清洗二极管晶粒表面残留化学成分；步骤四.将二极管晶粒边缘包裹绝缘胶、并进行烘烤固化；步骤五.将环氧树脂加热融化后包裹于所述引线及二极管晶粒外部，保证产品具备必要的机械强度；其特征在于：所述去离子水为带有热量的去离子水，该热量通过空气源热泵空调将步骤四或和步骤五的环境热量，转移至所述去离子水中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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