[发明专利]一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法，该结构包括NMOS晶体管和与其源极相连的沟槽电容器，该沟槽电容器包括半导体衬底、交替排列的N型SiGe层和N型Si层、沟槽、电介质层和多晶硅层，沟槽位于交替排列的N型SiGe层和N型Si层内，深入至半导体衬底，其侧壁剖面为梳齿形，交替排列的N型SiGe层和N型Si层作为沟槽电容器的下极板，电介质层位于沟槽内壁表面，多晶硅层填充于沟槽内作为沟槽电容器的上极板；在交替排列的N型SiGe层和N型Si层之上还制备有P型Si层，所述NMOS晶体管制作于该P型Si层上。本发明方法用掺杂和外延技术交替生长N型SiGe层和N型Si层并用选择性刻蚀制作出梳齿形的侧壁，改进了DRAM中深槽式电容器的结构，简化了制作工艺。

主权项

一种具有扩展型沟槽的DRAM结构，包括NMOS晶体管和与其源极相连的沟槽电容器，其特征在于，所述沟槽电容器包括：半导体衬底；交替排列的N型SiGe层和N型Si层，位于所述半导体衬底之上；沟槽，位于交替排列的N型SiGe层和N型Si层内，深入至半导体衬底，其侧壁剖面为梳齿形，其中，交替排列的N型SiGe层和N型Si层作为所述沟槽电容器的下极板；电介质层，位于所述沟槽内壁表面；第一多晶硅层，填充于所述沟槽内作为所述沟槽电容器的上极板；在所述沟槽电容器的交替排列的N型SiGe层和N型Si层之上还制备有P型Si层，所述NMOS晶体管制作于该P型Si层上。