[发明专利]集成电路、鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010263802.3 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102005477A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 叶致锴;张智胜;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/8232;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路、鳍式场效应晶体管及其制造方法，该鳍式场效应晶体管包括一基材及一鳍式结构于此基材上。此鳍式结构包含一沟道，位于一源极及一漏极之间，其中此源极、此漏极及此沟道具有一第一型掺杂。此沟道包含锗、锗化硅或III-V族半导体。一栅极介电层涂布于此沟道上，且一栅极位于此栅极介电层上。本发明可抑制界面缺陷的影响，还可掺入锗化硅应力源至锗的鳍式场效应晶体管NMOS中，以增进效能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，包括：一基材；一鳍式结构，位于该基材上，该鳍式结构包含一沟道，位于一源极及一漏极之间，其中该源极、该漏极及该沟道具有一第一型掺杂，且该沟道包含锗、锗化硅或III‑V族半导体至少其一；以及一栅极介电层，位于该沟道上；以及一栅极，位于该栅极介电层上。
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