[发明专利]实现双应力应变技术的方法

摘要

本发明公开了一种实现双应力应变技术的方法，该方法在淀积压应力薄膜之前淀积了压应力缓冲层，从而在保证提高PMOS空穴迁移率的同时，避免了压应力薄膜与PMOS晶体管有源区上的金属硅化物直接接触，降低了因压应力薄膜的压应力作用而造成的金属硅化物迁移，减轻了对有源区金属硅化物边缘下面的硅产生的损伤，降低了源漏泄露电流，提高了器件性能。

主权项

一种实现双应力应变技术的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底上已完成NMOS晶体管及PMOS晶体管的制作；在所述NMOS晶体管及PMOS晶体管上制备金属硅化物；淀积张应力薄膜，所述张应力薄膜覆盖所述NMOS晶体管及PMOS晶体管；去除所述PMOS晶体管上的张应力薄膜；淀积压应力缓冲层，所述压应力缓冲层覆盖所述NMOS晶体管及PMOS晶体管；在所述压应力缓冲层上淀积压应力薄膜，所述压应力薄膜覆盖所述NMOS晶体管及PMOS晶体管；去除所述NMOS晶体管上的压应力薄膜；以及沉积层间电介质，对所述层间电介质进行光刻及刻蚀，并制备金属电极。