[发明专利]实现双应力应变技术的方法无效
| 申请号： | 201010261618.5 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376578A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 徐伟中 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 应力 应变 技术 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现双应力应变技术的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底上已完成NMOS晶体管及PMOS晶体管的制作；
在所述NMOS晶体管及PMOS晶体管上制备金属硅化物；
淀积张应力薄膜，所述张应力薄膜覆盖所述NMOS晶体管及PMOS晶体管；
去除所述PMOS晶体管上的张应力薄膜；
淀积压应力缓冲层，所述压应力缓冲层覆盖所述NMOS晶体管及PMOS晶体管；
在所述压应力缓冲层上淀积压应力薄膜，所述压应力薄膜覆盖所述NMOS晶体管及PMOS晶体管；
去除所述NMOS晶体管上的压应力薄膜；以及
沉积层间电介质，对所述层间电介质进行光刻及刻蚀，并制备金属电极。
2.如权利要求1所述的实现双应力应变技术的方法，其特征在于，所述压应力缓冲层为二氧化硅。
3.如权利要求2所述的实现双应力应变技术的方法，其特征在于，所述二氧化硅的厚度为10～100埃。
4.如权利要求1所述的实现双应力应变技术的方法，其特征在于，所述张应力薄膜为张应力氮化硅。
5.如权利要求1所述的实现双应力应变技术的方法，其特征在于，所述压应力薄膜为压应力氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
