[发明专利]测试电路和包括该测试电路的半导体存储装置无效
| 申请号： | 201010258548.8 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102237144A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李康悦;朴文必 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置的测试电路，包括：第一失效检测单元，被配置为通过将从第一存储模块的存储单元组输出的多个第一测试数据信号进行组合来检测第一存储模块的存储单元组的失效；第二失效检测单元，被配置为通过将从第二存储模块的存储单元组输出的多个第二测试数据信号进行组合来检测第二存储模块的存储单元组的失效；公共失效检测单元，被配置为通过将多个第一测试数据信号以及多个第二测试数据信号进行组合来检测第一存储模块和第二存储模块的存储单元组的失效；以及失效确定单元，被配置为根据第一失效检测单元和第二失效检测单元的检测结果来输出第一失效检测单元和第二失效检测单元的检测结果或输出公共失效检测单元的检测结果。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 电路 包括 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置的测试电路，包括：第一失效检测单元，所述第一失效检测单元被配置为通过将从第一存储模块的存储单元组输出的多个第一测试数据信号进行组合来检测所述第一存储模块的存储单元组的失效；第二失效检测单元，所述第二失效检测单元被配置为通过将从第二存储模块的存储单元组输出的多个第二测试数据信号进行组合来检测所述第二存储模块的存储单元组的失效；公共失效检测单元，所述公共失效检测单元被配置为通过将所述多个第一测试数据信号以及所述多个第二测试数据信号进行组合来检测所述第一存储模块和所述第二存储模块的存储单元组的失效；以及失效确定单元，所述失效确定单元被配置为根据所述第一失效检测单元和所述第二失效检测单元的检测结果来输出所述第一失效检测单元和第二失效检测单元的检测结果或者输出所述公共失效检测单元的检测结果。
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