[发明专利]测试电路和包括该测试电路的半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置的测试电路，包括：

第一失效检测单元，所述第一失效检测单元被配置为通过将从第一存储模块的存储单元组输出的多个第一测试数据信号进行组合来检测所述第一存储模块的存储单元组的失效；

第二失效检测单元，所述第二失效检测单元被配置为通过将从第二存储模块的存储单元组输出的多个第二测试数据信号进行组合来检测所述第二存储模块的存储单元组的失效；

公共失效检测单元，所述公共失效检测单元被配置为通过将所述多个第一测试数据信号以及所述多个第二测试数据信号进行组合来检测所述第一存储模块和所述第二存储模块的存储单元组的失效；以及

失效确定单元，所述失效确定单元被配置为根据所述第一失效检测单元和所述第二失效检测单元的检测结果来输出所述第一失效检测单元和第二失效检测单元的检测结果或者输出所述公共失效检测单元的检测结果。

2.如权利要求1所述的测试电路，其中，当所述第一存储模块和所述第二存储模块的任意一个存储单元组失效时，所述公共失效检测单元输出表示所述第一存储模块和所述第二存储模块的存储单元组失效的检测结果。

3.如权利要求1所述的测试电路，其中，

当所述第一失效检测单元和所述第二失效检测单元中的一个检测到相应的存储模块的存储单元组的失效时，所述失效确定单元将检测到失效的失效检测单元的检测结果输出；以及

当所述第一失效检测单元和所述第二失效检测单元没有检测到相应的存储模块的存储单元组中的失效时，所述失效确定单元将所述公共失效检测单元的检测结果输出。

4.如权利要求1所述的测试电路，其中，所述第一失效检测单元包括：

多个第一子失效检测部，所述多个第一子失效检测部被配置为通过将所述多个第一测试数据信号进行组合来输出多个第一子失效检测信号；以及

信号组合部，所述信号组合部被配置为通过将所述多个第一子失效检测信号进行组合来输出第一失效检测信号。

5.如权利要求1所述的测试电路，其中，所述第二失效检测单元包括：

多个第二子失效检测部，所述多个第二子失效检测部被配置为通过将所述多个第二测试数据信号进行组合来输出多个第二子失效检测信号；以及

信号组合部，所述信号组合部被配置为通过将所述多个第二子失效检测信号进行组合来输出第二失效检测信号。

6.如权利要求1所述的测试电路，其中，所述公共失效检测单元包括：

多个子公共失效检测部，所述多个子公共失效检测部被配置为通过将所述多个第一测试数据信号和所述多个第二测试数据信号进行组合来输出多个子公共失效检测信号；以及

信号组合部，所述信号组合部被配置为通过将所述多个子公共失效检测信号进行组合来输出公共失效检测信号。

7.如权利要求1所述的测试电路，其中，所述失效确定单元包括：

失效检测组合部，所述失效检测组合部被配置为通过将从所述第一失效检测单元输出的第一失效检测信号、从所述第二失效检测单元输出的第二失效检测信号以及从所述公共失效检测单元输出的公共失效检测信号进行组合来输出失效组合信号；

第一信号输出部，所述第一信号输出部被配置为通过将所述失效组合信号和所述第一失效检测信号进行组合来输出第一最终失效检测信号；以及

第二信号输出部，所述第二信号输出部被配置为通过将所述失效组合信号和所述第二失效检测信号进行组合来输出第二最终失效检测信号。

8.一种半导体存储装置的测试电路，包括：

第一失效检测单元，所述第一失效检测单元被配置为通过将从第一存储模块的存储单元组输出的多个第一测试数据信号进行组合来检测所述第一存储模块的存储单元组的失效；

第二失效检测单元，所述第二失效检测单元被配置为通过将从第二存储模块的存储单元组输出的多个第二测试数据信号进行组合来检测所述第二存储模块的存储单元组的失效；

公共失效检测单元，所述公共失效检测单元被配置为通过将所述多个第一测试数据信号和所述多个第二测试数据信号进行组合来检测所述第一存储模块和所述第二存储模块的存储单元组的失效；以及

选择单元，所述选择单元被配置为根据模式选择信号来输出所述第一失效检测单元和所述第二失效检测单元的检测结果或者输出所述公共失效检测单元的检测结果。