[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010254687.3 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101996858A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吕咏铮;陈明发;陈承先;黄招胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置的制造方法。一实施例包括一半导体晶片载板，其中为了增强静电吸盘(electrostatic chuck)与载板之间的库伦力(coulombic force)，将导电掺杂物注入于载板内，以补偿因较薄的半导体晶片而下降的库伦力。另一实施例中，利用在载板内形成导电层及通孔结构(via)以取代导电掺杂物。本发明可避免高电压施加于半导体晶片所潜在的任何负面效应，并具有更便宜的制造程序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体晶片，其包括一基底及延伸进入一部分的该基底内的一或多个基底通孔电极；提供一载板，其包括一或多个离子掺杂物；以及将该半导体晶片贴附至该载板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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