[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种由使用高集成的SGT的CMOS反相器电路所构成的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件中，第1晶体管具有：第1岛状半导体层；第1栅极绝缘膜；栅极电极；第1个第1导电型高浓度半导体层，配置于第1岛状半导体层的上部；及第2个第1导电型高浓度半导体层，配置于第1岛状半导体层的下部；第2晶体管具有：第2栅极绝缘膜，包围栅极电极周围的一部分；第2半导体层，与第2栅极绝缘膜周围一部分接触；第1个第2导电型高浓度半导体层，配置于第2半导体层的上部，且具有与第1导电型高浓度半导体层相反极性；及第2个第2导电型高浓度半导体层，配置于第2半导体层的下部，且具有与第1导电型高浓度半导体层相反极性。

主权项

一种半导体器件，发挥作为反相器功能，其特征在于，具有：第1岛状半导体层；第2半导体层；栅极电极，至少一部分配置于所述第1岛状半导体层与所述第2半导体层之间；第1栅极绝缘膜，至少一部分配置于所述第1岛状半导体层与所述栅极电极之间，且与所述第1岛状半导体层周围的至少一部分接触，并且与所述栅极电极的一面接触；第2栅极绝缘膜，配置于所述第2半导体层与所述栅极电极之间，且与所述第2半导体层接触，并且与所述栅极电极的另一面接触；第1个第1导电型高浓度半导体层，配置于所述第1岛状半导体层的上部；第2个第1导电型高浓度半导体层，配置于所述第1岛状半导体层的下部，且具有与所述第1导电型高浓度半导体层相同极性；第1个第2导电型高浓度半导体层，配置于所述第2半导体层的上部，且具有与所述第1导电型高浓度半导体层相反极性；及第2个第2导电型高浓度半导体层，配置于所述第2半导体层的下部，且具有与所述第1导电型高浓度半导体层相反极性。