[发明专利]半导体元器件制造过程中的显影方法有效
| 申请号： | 201010253803.X | 申请日： | 2010-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102376543A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 乔辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/00;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体元器件制造过程中的显影方法，该方法包括：喷洒装置从起始位置开始，水平扫过晶圆表面，并通过所述喷洒装置上的喷嘴将显影液均匀地喷洒在晶圆表面上；进行第一次混拌显影；所述喷洒装置通过喷嘴用清洗液对晶圆表面进行第一次清洗；喷洒装置返回起始位置，然后第二次水平扫过晶圆表面，通过喷嘴将显影液均匀地喷洒在晶圆表面上；进行第二次混拌显影；所述喷洒装置通过喷嘴用清洗液对晶圆表面进行第二次清洗，然后旋干。通过使用上述的方法，可防止晶圆表面上的残留物对喷嘴造成污染，从而有效地减少线性残留物缺陷，提高晶圆表面的清洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元器件 制造 过程 中的 显影 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元器件制造过程中的显影方法，其特征在于，该方法包括：喷洒装置从起始位置开始，水平扫过晶圆表面，并通过所述喷洒装置上的喷嘴将显影液均匀地喷洒在晶圆表面上；进行第一次混拌显影；所述喷洒装置通过喷嘴用清洗液对晶圆表面进行第一次清洗；喷洒装置返回起始位置，然后第二次水平扫过晶圆表面，通过喷嘴将显影液均匀地喷洒在晶圆表面上；进行第二次混拌显影；所述喷洒装置通过喷嘴用清洗液对晶圆表面进行第二次清洗，然后旋干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
