[发明专利]一种半导体光电器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体光电器件的制备方法，包括以下步骤：1)、选择一种衬底；2)、用外延、结晶、溅射、蒸镀、旋涂、粘结、焊接、键合、化学腐蚀或刻蚀的方法在衬底上制得半导体同质结或异质结；3)、在半导体同质结或异质结的顶端或底端生成有电极，使衬底、半导体同质结或异质结与电极构成整个半导体器件。本发明可以提供多种带宽的半导体节，可以覆盖较宽的工作光谱范围，而且制备于不同的有特殊结构的衬底之上，把平面膜结构和纳米线的制备长处、工作特性上的优势结合在一起，以实现功能更广泛的半导体光电器件结构。

主权项

一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)、选择一种衬底(1)；2)、用外延、结晶、溅射、蒸镀、旋涂、粘结、焊接、键合、化学腐蚀或刻蚀的方法在衬底(1)上制得半导体同质结或异质结(2)；3)、在半导体同质结或异质结的顶端或底端生成有电极(3)，使衬底、半导体同质结或异质结(2)与电极(3)构成整个半导体器件。