[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010250728.1 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102376625A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王文武;赵超;王晓磊;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过在形成源/漏区或其上的提升区之后，形成包括纳米级的催化金属颗粒以及其上的碳纳米管的接触结构，纳米级的催化金属颗粒一方面有诱导碳纳米管生长的作用外，另一方面还可以起到减小接触孔中接触塞与源/漏区的接触电阻的作用，进而降低器件的接触电阻，而且碳纳米管本身具有高导电性，这大大降低了接触的体电阻，从而降低器件的寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：A、提供半导体衬底以及在其上形成的栅极区；B、覆盖所述栅极区两侧的衬底以形成层间介质层；C、在所述层间介质层内形成开口；D、利用所述开口刻蚀所述衬底，以形成填充区；E、在所述填充区内形成嵌入源/漏区，以及在所述开口内、嵌入源/漏区上形成提升区；F、在所述提升区上形成填满所述开口的接触塞，其中所述接触塞包括纳米级金属催化颗粒以及其上的碳纳米管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
