[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

A、提供半导体衬底以及在其上形成的栅极区；

B、覆盖所述栅极区两侧的衬底以形成层间介质层；

C、在所述层间介质层内形成开口；

D、利用所述开口刻蚀所述衬底，以形成填充区；

E、在所述填充区内形成嵌入源/漏区，以及在所述开口内、嵌入源/漏区上形成提升区；

F、在所述提升区上形成填满所述开口的接触塞，其中所述接触塞包括纳米级金属催化颗粒以及其上的碳纳米管。

2.根据权利要求1所述的方法，在所述步骤A和B之间还包括：在所述栅极区两侧的衬底内形成浅掺杂区。

3.根据权利要求1所述的方法，所述步骤E还包括：硅化所述提升区以形成金属化合物层，以减小接触电阻。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触塞还包括：形成于碳纳米管间的固化剂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述接触塞的步骤包括：在所述器件的水平表面上形成催化金属颗粒，其中所述水平表面为与所述衬底表面平行的面；在所述催化金属颗粒上形成碳纳米管；在所述器件及所述碳纳米管间形成固化剂层；平坦化所述器件暴露栅极区，以在开口内形成接触塞。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述碳纳米管的方法包括：化学气相沉积方法、电弧放电方法或激光烧灼法。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述固化剂层包括：SOG旋压玻璃或金属材料。

8.根据权利要求1所述的方法，对于n型器件，所述催化金属颗粒包括稀土金属，所述稀土金属包括：Sc或Y，或其组合。

9.根据权利要求1所述的方法，对于p型器件，所述催化金属颗粒包括：Pd、Co、Ti或Pt，或其组合。

10.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

A、提供半导体衬底，以及在其上形成栅极区，以及在所述栅极区两侧的衬底内形成源/漏掺杂区；

B、覆盖所述源/漏掺杂区以形成层间介质层；

C、在所述层间介质层内、源/漏掺杂区上形成开口；

D、在所述源/漏掺杂区上形成填满所述开口的接触塞，其中所述接触塞包括纳米级金属催化颗粒以及其上的碳纳米管。

11.根据权利要求10所述的方法，所述步骤A还包括：在所述栅极区两侧的衬底内形成浅掺杂区。

12.根据权利要求10所述的方法，所述步骤A还包括：硅化所述源/漏区的衬底形成金属化合物层，以减小接触电阻。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述接触塞还包括：形成于碳纳米管间的固化剂层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述接触塞的步骤包括：在所述器件的水平表面上形成催化金属颗粒，其中所述水平表面为与所述衬底表面平行的面；在所述催化金属颗粒上形成碳纳米管；在所述器件及所述碳纳米管间形成固化剂层；平坦化所述器件暴露栅极区，以在开口内形成接触塞。

15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述碳纳米管的方法包括：化学气相沉积方法、电弧放电方法或激光烧灼法。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述固化剂层包括：SOG旋压玻璃或金属材料。

17.根据权利要求10所述的方法，对于n型器件，所述催化金属颗粒包括稀土金属，所述稀土金属包括：Sc或Y，或其组合。

18.根据权利要求10所述的方法，对于p型器件，所述催化金属颗粒包括：Pd、Co、Ti或Pt，或其组合。

19.一种半导体器件，所述器件包括：

半导体衬底以及在其上形成的栅极区；

形成于所述栅极区两侧的衬底上的层间介质层；

形成于所述栅极区两侧的半导体衬底内的源/漏区；

形成于所述源/漏区上的、层间介质层内的接触塞，其中所述接触塞包括纳米级金属催化颗粒以及其上的碳纳米管。

20.根据权利要求19所述的器件，其中所述源/漏区包括嵌入式源/漏区，所述器件还包括形成于嵌入式源/漏区与接触塞之间的提升区。