[发明专利]半导体光电元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010249195.5 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102376826A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王心盈;陈怡名;徐子杰;陈吉兴;张湘苓 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光电元件及其制作方法。该半导体光电元件包括操作基板；半导体外延叠层单元，设置于操作基板上；半导体外延叠层单元包括设置于操作基板上，具有第一导电特性的第一半导体材料层，以及设置于第一半导体材料层上，具有第二导电特性的第二半导体材料层；透明导电层，设置于第二半导体材料层上，透明导电层包括第一表面、直接接触部，设置于第一表面上，与第二半导体材料层直接接触、第二表面，实质平行第一表面、直接接触对应部，设置于第二表面相对于直接接触部上；以及第一电极，设置于操作基板上，通过透明导电层与半导体外延叠层电性连结；其中，第一电极与透明导电层通过直接接触部与直接接触对应部之外的区域相互电性连结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体光电元件，包括：操作基板；半导体外延叠层单元，设置于该操作基板上，该半导体外延叠层单元包括：设置于该操作基板上、具有第一导电特性的第一半导体材料层；和设置于该第一半导体材料层上、具有第二导电特性的第二半导体材料层；透明导电层，设置于该第二半导体材料层上，该透明导电层包括：第一表面，具有直接接触部与该第二半导体材料层直接接触；第二表面，实质平行该第一表面，具有直接接触对应部，该直接接触对应部相对于该直接接触部；以及第一电极，设置于该操作基板上，通过该透明导电层与该半导体外延叠层单元电性连结，其中该第一电极与该透明导电层通过该直接接触部与该直接接触对应部之外的区域相互电性连结。
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