[发明专利]半导体装置的修复电路和修复方法有效
| 申请号： | 201010244677.1 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102110482A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 崔香花;李政祐;辛尚勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的修复电路，包括：多个穿通硅通孔，包括具有一个修复穿通硅通孔和M个正常穿通硅通孔的重复的组；发送单元，被配置为基于控制信号，以第一多路复用比对输入数据进行多路复用，并将多路复用的数据传输至多个穿通硅通孔；接收单元，被配置为基于控制信号，以第二多路复用比对经由多个穿通硅通孔传输的信号进行多路复用，并产生输出数据；以及控制信号发生单元，被配置为基于测试信号的输入次数来产生控制信号的组。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 修复 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的修复电路，包括：多个穿通硅通孔，所述多个穿通硅通孔包括重复设置的一个修复穿通硅通孔和M个正常穿通硅通孔；发送单元，所述发送单元被配置为基于控制信号，以第一多路复用比对输入数据进行多路复用，并将所述多路复用的数据传输至所述多个穿通硅通孔；接收单元，所述接收单元被配置为基于控制信号，以第二多路复用比对经由所述多个穿通硅通孔传输的信号进行多路复用，并产生输出数据；以及控制信号发生单元，所述控制信号发生单元被配置为基于测试信号的输入次数来产生所述控制信号。
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