[发明专利]半导体装置的修复电路和修复方法

权利要求书

1.一种半导体装置的修复电路，包括：

多个穿通硅通孔，所述多个穿通硅通孔包括重复设置的一个修复穿通硅通孔和M个正常穿通硅通孔；

发送单元，所述发送单元被配置为基于控制信号，以第一多路复用比对输入数据进行多路复用，并将所述多路复用的数据传输至所述多个穿通硅通孔；

接收单元，所述接收单元被配置为基于控制信号，以第二多路复用比对经由所述多个穿通硅通孔传输的信号进行多路复用，并产生输出数据；以及

控制信号发生单元，所述控制信号发生单元被配置为基于测试信号的输入次数来产生所述控制信号。

2.如权利要求1所述的修复电路，其中，基于所述控制信号，所述多个穿通硅通孔中失效的穿通硅通孔由在编号上与所述失效穿通硅通孔相邻的穿通硅通孔来替代。

3.如权利要求1所述的修复电路，其中，所述控制信号发生单元包括：

计数器，所述计数器被配置为对所述测试信号进行计数并产生计数信号；以及

译码器，所述译码器被配置为对所述计数信号进行译码并产生所述控制信号。

4.如权利要求1所述的修复电路，其中，所述发送单元包括多个多路复用器，所述多个多路复用器被配置为经由内部驱动器来驱动并输出所述多路复用的信号。

5.如权利要求1所述的修复电路，其中，所述接收单元包括多个多路复用器，所述多个多路复用器具有与所述多个穿通硅通孔中的所述正常穿通硅通孔相等的数量。

6.如权利要求1所述的修复电路，其中，所述多个穿通硅通孔包括具有一个修复穿通硅通孔和两个正常穿通硅通孔的重复的组。

7.如权利要求1所述的修复电路，其中，基于所述控制信号，所述多个穿通硅通孔中失效的穿通硅通孔由与所述失效的穿通硅通孔相邻地设置的编号在前或编号在后的修复穿通硅通孔来替代。

8.一种半导体装置的修复电路，包括：

多个穿通硅通孔，所述多个穿通硅通孔包括具有一个修复穿通硅通孔和两个正常穿通硅通孔的重复的组；

发送单元，所述发送单元被配置为基于控制信号，以2:1的多路复用比对4比特的输入数据的组进行多路复用，并将所获得的输入数据传输至所述多个穿通硅通孔；

接收单元，所述接收单元被配置为基于所述控制信号，以3:1的多路复用比对经由所述多个穿通硅通孔传输的信号进行多路复用，并产生4比特的输出数据；以及

控制信号发生单元，所述控制信号发生单元被配置为基于测试信号的输入次数来产生所述控制信号的组，

其中，基于所述控制信号，失效的穿通硅通孔由在编号上与所述失效穿通硅通孔相邻的穿通硅通孔来替代。

9.如权利要求8所述的修复电路，其中，所述控制信号发生单元包括：

计数器，所述计数器被配置为对所述测试信号进行计数并产生计数信号；以及

译码器，所述译码器被配置为对所述计数信号进行译码并产生所述控制信号。

10.如权利要求8所述的修复电路，其中，所述发送单元包括多个多路复用器，所述多个多路复用器被配置为经由内部驱动器来驱动并输出所述多路复用的信号。

11.一种半导体装置的修复方法，所述半导体装置包括多个穿通硅通孔，所述多个穿通硅通孔包括具有一个修复穿通硅通孔和两个正常穿通硅通孔的重复的组，所述方法包括以下步骤：

确定在测试过程中输出的数据的逻辑值是否等于目标逻辑值和穿通硅通孔是否已失效；以及

用与失效的穿通硅通孔相邻的修复穿通硅通孔来替代所述失效的穿通硅通孔。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述用与失效的穿通硅通孔相邻的修复穿通硅通孔来替代所述失效的穿通硅通孔的步骤包括以下步骤：

当编号在前的穿通硅通孔或者编号在后的穿通硅通孔中的一个失效时，用与所述失效的穿通硅通孔相邻的编号在前的穿通硅通孔或者编号在后的穿通硅通孔中的一个来替代所述失效的穿通硅通孔。