[发明专利]集成电路三维存储器阵列及制造方法无效
| 申请号： | 201010243792.7 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102214638A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路三维存储器阵列及制造方法，涉及基于导体柱阵列及多个图案化导体平面的三维存储器元件及其制造方法，多个图案化导体平面包括邻接左侧及右侧界面区的导体柱的左侧及右侧导体。左侧及右侧界面区中的存储器构件包括一个可编程构件及一个整流器。可使用二维译码来选择导体柱，且使用在第三维上的译码，结合左及右侧的选择，来选择多个平面中的左侧及右侧导体。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 三维 存储器 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，其特征在于，包括：存取元件阵列；多个图案化导体层，互相分开且通过绝缘层与所述存取元件阵列分开，所述多个图案化导体层包括左侧及右侧导体；导体柱阵列，延伸穿过所述多个图案化导体层，所述阵列中的所述导体柱接触所述存取元件阵列中对应的存取元件，且定义所述导电柱与邻接所述多个图案化导体层中对应的图案化导体层中左侧及右侧导体之间的左侧及右侧界面区；以及存储器构件，在所述左侧及右侧的界面区中，每一所述存储器构件包括可编程构件。
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