[发明专利]制造半导体装置导线的方法及内连线结构

摘要

本发明是有关于一种制造半导体装置导线的方法及内连线结构，该方法包括提供多条导线于一基板的一上表面之上，每一条导线之间由该基板的该上表面的一裸露部分分隔，形成一阻障层于该基板之上，该阻障层具有一第一部分顺形地形成于每一条导线之上，及一第二部分形成于该基板的该上表面的每一裸露部分之上，除去该阻障层的该第二部分以保留该第一部分于每一条导线的上方部分及侧壁部分之上。因此，本发明可以避免在形成半导体装置中的导线时产生山丘状的突起或凸块。

主权项

一种制造半导体装置导线的方法，其特征在于其包括以下步骤：沉积一导电材料层于一基板之上；沉积一第一阻障层于该导电材料层之上；图案化一幕罩于该第一阻障层之上，该图案化包含多条导线的一布局；使用该幕罩将该第一阻障层及该导电材料层蚀刻以形成该些导线；形成一第二阻障层于该些导线之上及侧壁；以及沉积一介电材料于每一条导线图案之上与之间。