[发明专利]制造半导体装置导线的方法及内连线结构

权利要求书

1.一种制造半导体装置导线的方法，其特征在于其包括以下步骤：

沉积一导电材料层于一基板之上；

沉积一第一阻障层于该导电材料层之上；

图案化一幕罩于该第一阻障层之上，该图案化包含多条导线的一布局；

使用该幕罩将该第一阻障层及该导电材料层蚀刻以形成该些导线；

形成一第二阻障层于该些导线之上及侧壁；以及

沉积一介电材料于每一条导线图案之上与之间。

2.根据权利要求1所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于更包含：在沉积一导电材料层于一基板之上的步骤之前，沉积一钛或钛/氮化钛层于该基板之上。

3.根据权利要求1所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于更包含：在沉积一导电材料层于一基板之上的步骤之后，进行一同室冷却该装置工艺。

4.根据权利要求1所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于其中所述的第一阻障层及该第二阻障层包含物理气相沉积及离子化金属等离子体工艺之一所形成的钛或是包含物理气相沉积及离子化金属等离子体工艺之一所形成的钛及利用金属有机化学气相沉积所形成的氮化钛。

5.根据权利要求1所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于更包含在沉积一第一阻障层的步骤之后，进行退火。

6.根据权利要求1所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于更包含图案化一幕罩之后，进行退火。

7.根据权利要求1所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于更包含在形成该第二阻障层于该些导线之上及侧壁的步骤之后，进行退火。

8.根据权利要求1所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于形成该第二阻障层于该些导线之上及侧壁的步骤之后进行一低温后工艺，其包括高密度等离子体及氦气冷却。

9.一种制造半导体装置导线的方法，其特征在于其包括以下步骤：

沉积一导电材料层于一基板之上；

进行一同室冷却该装置的工艺；

沉积一第一阻障层于该导电材料层之上；

进行退火；

图案化一幕罩于该第一阻障层之上，该图案化包含多条导线的一布局；

使用该幕罩将该第一阻障层及该导电材料层蚀刻以形成该些导线；

沉积一第二阻障层于蚀刻后的该些导线之上及之间；

蚀刻以除去介于该些导线之间的该第二阻障层，因此保留该第二阻障层于每一条导线的上方及侧壁部分；

进行一低温后工艺；以及

沉积一介电材料于每一条导线图案之上与之间。

10.根据权利要求9所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于其中所述的第一阻障层及该第二阻障层包含物理气相沉积及离子化金属等离子体工艺之一所形成的钛或是包含物理气相沉积及离子化金属等离子体工艺之一所形成的钛及利用金属有机化学气相沉积所形成的氮化钛。

11.根据权利要求9所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于其中所述的第二阻障层包含钛或是钛/氮化钛层。

12.根据权利要求9所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于更包含图案化一幕罩之后，进行退火。

13.根据权利要求9所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于更包含在蚀刻去掉该第二阻障层的步骤之后，进行退火。

14.根据权利要求9所述的制造半导体装置导线的方法，其特征在于其中所述的低温后工艺包括高密度等离子体及氦气冷却。

15.一种内连线结构，其特征在于其包含：

多条导线在一基板之上；

一阻障层在该多条导线的上方及侧壁；以及

介电层在该多条导线的上方及之间。

16.根据权利要求15所述的内连线结构，其特征在于其中所述的阻障层包含钛或是钛/氮化钛层。

17.根据权利要求15所述的内连线结构，其特征在于更包含一钛或是钛/氮化钛层于该基板的该多条导线下方。

18.根据权利要求15所述的内连线结构，其特征在于其中所述的阻障层包含物理气相沉积及离子化金属等离子体工艺之一所形成的钛或是包含物理气相沉积及离子化金属等离子体工艺之一所形成的钛及利用金属有机化学气相沉积所形成的氮化钛。