[发明专利]控制不平坦硅片表面上的图形的关键尺寸的方法有效
| 申请号： | 201010229224.1 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102339733A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 夏婷婷;杨晓松;郁志芳;易旭东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的控制不平坦硅片表面上的图形的关键尺寸的方法包括以下步骤：制作台阶高度与关键尺寸的关系曲线，所述台阶高度为硅片表面最高点与最低点之间的距离；测量实际的台阶高度；判断实际的台阶高度是否等于设定值，如果是，按照设定的曝光能量对光刻胶进行曝光，如果否，执行以下步骤；利用公式Esplit＝Ebaseline+(CDsplit-CDbaseline)*Slop计算曝光能量，按照计算出的曝光能量Esplit对光刻胶进行曝光，其中，Esplit表示实际的曝光能量，Ebaseline表示设定的曝光能量，CDsplit是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，实际的台阶高度所对应的关键尺寸，CDbaseline是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，台阶高度设定值所对应的关键尺寸，Slop为常数。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 平坦 硅片 表面上 图形 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种控制不平坦硅片表面上的图形的关键尺寸的方法，其特征在于，包括以下步骤：制作台阶高度与关键尺寸的关系曲线，所述台阶高度为硅片表面最高点与最低点之间的距离；测量实际的台阶高度；判断实际的台阶高度是否等于设定值，如果是，按照设定的曝光能量对光刻胶进行曝光，如果否，执行以下步骤；利用公式Esplit＝Ebaseline+(CDsplit‑CDbaseline)*Slop计算曝光能量，按照计算出的曝光能量Esplit对光刻胶进行曝光，其中，Esplit表示实际的曝光能量，Ebaseline表示设定的曝光能量，CDsplit是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，实际的台阶高度所对应的关键尺寸，CDbaseline是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，台阶高度设定值所对应的关键尺寸，Slop为常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
