[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010228923.4 | 申请日： | 2001-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101902015A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 西井胜则;井上薰;松野年伸;池田义人;正户宏幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：是具备有激光器结构体和保护氧化膜的半导体装置；激光器结构体形成在衬底上，具有由以式InxALyGa1-x-yN表达的多个Ⅲ族氮化物半导体组成的谐振器；保护氧化膜形成在所述激光器结构体的侧面区域，且由所述Ⅲ族氮化物半导体氧化而生成，所述侧面区域包含所述谐振器的端面，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1。
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