[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

是具备有激光器结构体和保护氧化膜的半导体装置；激光器结构体形成在衬底上，具有由以式In_xAL_yGa_1-x-yN表达的多个Ⅲ族氮化物半导体组成的谐振器；保护氧化膜形成在所述激光器结构体的侧面区域，且由所述Ⅲ族氮化物半导体氧化而生成，所述侧面区域包含所述谐振器的端面，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1。

2.一种半导体装置制造方法，其特征在于：

具备有以下各工序：

通过在衬底上形成以式In_xAL_yGa_1-x-yN表达的多个Ⅲ族氮化物半导体层，从而形成含有由所述多个Ⅲ族氮化物半导体层组成的谐振器的激光器结构体的激光器结构体形成工序，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；

使所述激光器结构体中的、所述谐振器的两个端面显露出来的工序；

用使包括所述激光器结构体的所述两个端面的侧面氧化的办法，在包含所述两个端面的侧面形成由所述Ⅲ族氮化物半导体层氧化生成的保护氧化膜的氧化膜形成工序。

3.根据权利要求2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述氧化膜形成工序包含将所述Ⅲ族氮化物半导体层在氧气氛中进行热处理的工序。