[发明专利]二极管有效
| 申请号： | 201010226329.1 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122693A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·J·罗特费尔德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18;H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管，包括：一基板；一第一介电材料，包括露出该基板的一部的至少一开口；一底二极管材料，包括至少部分地设置于该开口内的一下方区以及延伸至该开口之上的一上方区，该底二极管材料包括晶格不匹配于该基板的一化合物半导体材料；一有源二极管区，邻近于该底二极管材料；以及一顶二极管材料，邻近该有源二极管区。本发明可降低太阳能电池、发光二极管以及其他化合物半导体装置的成本，以及改善发光二极管的汲出效率与内部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 | ||
【主权项】：
一种二极管，包括：一基板；一第一介电材料，包括露出该基板的一部的至少一开口；一底二极管材料，包括至少部分地设置于该开口内的一下方区以及延伸至该开口之上的一上方区，该底二极管材料包括晶格不匹配于该基板的一化合物半导体材料；一有源二极管区，邻近于该底二极管材料；以及一顶二极管材料，邻近该有源二极管区。
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