[发明专利]二极管

权利要求书

1.一种二极管，包括：

一基板；

一第一介电材料，包括露出该基板的一部的至少一开口；

一底二极管材料，包括至少部分地设置于该开口内的一下方区以及延伸至该开口之上的一上方区，该底二极管材料包括晶格不匹配于该基板的一化合物半导体材料；

一有源二极管区，邻近于该底二极管材料；以及

一顶二极管材料，邻近该有源二极管区。

2.如权利要求1所述的二极管，还包括：

一第二介电材料，邻近该顶二极管材料，其中该第一介电材料邻近该底二极管材料的该下方区，而该第二介电材料邻近于该底二极管材料的该上方区的侧壁。

3.如权利要求1所述的二极管，还包括：

一耐火金属，邻近该第一介电材料；

一间隔物，位于该第一介电材料与该耐火金属的侧壁上；

一第二介电材料，邻近该耐火金属与该顶二极管材料；以及

一电性接触物，穿透该第二介电材料，其中该电性接触物电性耦接于该耐火金属。

4.一种二极管，包括：

一第一介电材料，包括至少一开口；

一底二极管材料，包括至少部分地设置于该开口内的一下方区以及延伸至该开口之上的一上方区；

一有源二极管区，邻近于该底二极管材料；

一顶二极管材料，邻近该有源二极管区；

一第二介电材料，邻近该顶二极管材料，其中该第一介电材料邻近该底二极管材料的该下方区，而该第二介电材料邻近该底二极管材料的该上方区；以及

一握持基板，邻近该顶二极管材料。

5.如权利要求1或4所述的二极管，其中该有源发光二极管区包括由该顶二极管材料与该底二极管材料的结所形成的一p-n结。

6.如权利要求1或4所述的二极管，其中该有源发光二极管区包括不同于该顶二极管材料与该底二极管材料的一材料，而该有源发光二极管区构成了位于该顶二极管材料与该底二极管材料间的一p-i-n结的一本征区。

7.如权利要求1或4所述的二极管，其中该有源发光二极管区包括多重量子阱，形成于该顶二极管材料与该底二极管材料之间。

8.如权利要求1或4所述的二极管，其中该至少一开口具有约为1或更多的高度比上宽度的一深宽比，且该底二极管材料的下方区包括了贯穿差排。

9.如权利要求1或4所述的二极管，其中该至少一开口具有少于1的高度比上宽度的一深宽比，且该底二极管材料的下方区包括了延伸至该开口之上的贯穿差排。

10.如权利要求1或4所述的二极管，其中该底二极管具有一鳍状结构、一圆柱状结构、一六角柱状结构或一金字塔状结构。

11.如权利要求1或4所述的二极管，还包括：

一耐火金属，邻近该第一介电材料与该第二介电材料；

一间隔物，位于该第一介电材料与该耐火金属的侧壁上；

一电性接触物，穿透该第二介电材料，其中该电性接触物电性耦接于该耐火金属。

12.如权利要求1或2所述的二极管，还包括一握持基板，邻近该顶二极管材料。