[发明专利]相变存储器存储单元及其制作方法有效
| 申请号： | 201010217837.3 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102299106A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器存储单元的制作方法：提供一底电极和位于底电极上的相变层，所述底电极和相变层形成于绝缘层中；在相变层和绝缘层的表面沉积导电刻蚀终止层，并对所述导电刻蚀终止层进行图案化，每个图案化的导电刻蚀终止层对应于各个存储单元；在所述图案化的导电刻蚀终止层和绝缘层的表面沉积氮化层、低介电常数材料层和涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义顶电极的位置；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数材料层，刻蚀到氮化层终止；刻蚀氮化层，显露出导电刻蚀终止层后，在刻蚀位置上填充形成顶电极。本发明还公开了一种相变存储器存储单元。本发明在形成顶电极位置的刻蚀过程中有效避免了相变层的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 存储 单元 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器存储单元的制作方法，该方法包括：提供一底电极和位于底电极上的相变层，所述底电极和相变层形成于绝缘层中；在相变层和绝缘层的表面沉积导电刻蚀终止层，并对所述导电刻蚀终止层进行图案化，每个图案化的导电刻蚀终止层对应于各个存储单元；在所述图案化的导电刻蚀终止层和绝缘层的表面沉积氮化层，作为刻蚀终止层；在氮化层的表面沉积低介电常数材料层；在低介电常数材料层的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义顶电极的位置；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数材料层，刻蚀到氮化层终止；刻蚀氮化层，显露出导电刻蚀终止层后，在导电刻蚀终止层的上方，刻蚀氮化层和低介电常数材料层的位置上填充形成顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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