[发明专利]半导体激光设备有效

专利信息
申请号: 201010209731.9 申请日: 2010-06-25
公开(公告)号: CN101944706A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 吉田雄太;狩野祥男;横山隆浩;中岛真;高濑英治 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01S5/16 分类号: H01S5/16;H01S5/22
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 褚海英;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明设置一种半导体激光设备,其包括:以并行的带状布置的多个发光部;分别沿着发光部的顶面布置的多个第一电极;分别覆盖所述多个第一电极的整个表面并包括对应于所述第一电极的接触孔的绝缘膜;对应于所述第一电极布置在不同于所述多个发光部的位置的多个第二电极;分别布置在所述绝缘膜上,并通过所述接触孔电连接所述第二电极和对应的所述第一电极的多个布线层;分别在所述绝缘膜中为发光部布置以暴露第一电极的多个窗口区,其中至少两个窗口区具有互不相同的面积。本发明能在每个发光部中获取预定振荡波长并同时克服光束的波长拉长,并能使所有光束的振荡波长一致化。
搜索关键词: 半导体 激光设备
【主权项】:
一种半导体激光设备,其包括:多个发光部,其以并行的带状布置并从其在延伸方向的端面发射光束;多个第一电极,其分别沿着所述发光部的顶面布置;绝缘膜,其分别覆盖所述多个第一电极的整个表面并具有对应于所述第一电极的接触孔;多个第二电极,其对应于所述第一电极布置在不同于所述多个发光部的位置;多个布线层,其分别布置在所述绝缘膜上,并通过所述接触孔而电连接所述第二电极和对应的所述第一电极;以及多个窗口区,其在所述绝缘膜中分别为所述发光部布置以暴露所述第一电极,其中至少两个所述窗口区具有互不相同的面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010209731.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 半导体元件-201580042180.2
  • 谷口英广 - 古河电气工业株式会社
  • 2015-08-12 - 2019-08-27 - H01S5/16
  • 本发明提供一种半导体元件,具备:具有活性层的半导体层叠部、以及向所述活性层注入电流的电极,所述半导体层叠部包含:第1区域,其包含所述活性层的一部分,且在所述层叠方向上延伸;第2区域,其至少包含所述活性层的端部的一部分,且在所述层叠方向上延伸;以及第3区域,其包含所述第1区域与所述第2区域之间的所述活性层的一部分,且在所述层叠方向上延伸,所述第2区域的混晶度高于所述第1区域的混晶度,所述第3区域的混晶度高于所述第1区域的混晶度,且低于所述第2区域的混晶度。由此,提供可靠性高的半导体元件。
  • 边缘发射半导体激光器及其生产方法-201680016839.1
  • A.莱尔;H.克尼希;A.S.阿夫拉梅斯库 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
  • 2016-03-18 - 2017-12-01 - H01S5/16
  • 边缘发射半导体激光器包括半导体结构,所述半导体结构具有层序列,所述层序列包括沿生长方向重叠的层。半导体结构在横向上由第一刻面(400)和第二刻面(500)划定。所述半导体结构具有中部区段(300)和邻近第一刻面的第一边缘区段(410)。所述层序列在第一边缘区段中关于中间区段在生长方向(201)上偏置。半导体结构包含衬底(100)、下部包覆层(210)、下部波导层(220)、有源层(230)、上部波导层(240)和顶部包覆层(250)。在刻面的地带中,存在电气绝缘的中间层(260),所述中间层(260)防止在刻面(400)的边缘区段(410)中通过半导体结构的电流。
  • 半导体器件以及半导体器件的制造方法-201510288891.X
  • 宫坂文人 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-05-29 - 2015-12-23 - H01S5/16
  • 本发明涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法。提供一种抑制由于对光发射端面的灾变性光学损伤(COD)而造成的端面破坏并具有高输出特性的半导体激光器。在具有从(0001)面在<1-100>方向上的偏离角的主面的n型衬底上提供n型披覆层、电流阻挡层、有源层以及p型披覆层。例如,电流阻挡层布置在电流狭窄区的两侧。随后,电流阻挡层布置为从解理面(线)缩回。在这种情况下,在具有结晶生长在n型披覆层和电流阻挡层上的量子阱结构的有源层中,窗口区从解理面(线)直至电流阻挡层的端部的层厚度小于电流狭窄区(电流阻挡层之间的区域)的层厚度。因此,窗口区中的有源层的带隙变大,且因此能抑制由于COD造成的端面破坏。
  • 半导体光器件及其制造方法-201280013594.9
  • 谷口英广;大木泰 - 古河电气工业株式会社
  • 2012-03-16 - 2014-01-15 - H01S5/16
  • 本发明提供一种半导体光器件,其具备第一导电型半导体衬底,在半导体衬底的上方依次沉积的第一导电型的第一熔覆层,活性层,第二导电型的第二熔覆层,接触层;活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部及比窗部混晶度小的非窗部;接触层具有第一区域及第二区域,所述第二区域与所述第一区域相比,其与氢的亲和性更强,且位于所述第一区域的下侧。
  • 半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件-201080027929.3
  • 谷口英广 - 古河电气工业株式会社
  • 2010-06-09 - 2012-05-23 - H01S5/16
  • 本发明提供一种半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件。本发明的包含半导体层的半导体光学器件的制造方法为,在半导体层叠结构(12-18)表面的第一区域上形成第一电介质膜(26),在半导体层叠结构(12-18)表面的第二区域上形成具有比第一电介质膜(26)高的密度的第二电介质膜(25),在由于对第二电介质膜(25)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量变得大于由于对第一电介质膜(26)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量的温度区域实施热处理,在第一电介质膜(26)下部的半导体层叠结构(12-18)上形成窗区域(23)。
  • 制造半导体激光器的方法-201110389276.X
  • 多田健太郎;远藤健司;深谷一夫;奥田哲朗;小林正英 - 瑞萨电子株式会社
  • 2010-03-01 - 2012-04-11 - H01S5/16
  • 本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器,其中,(λa-λw)>(大于)15(nm)且Lt小于25(μm),这里,“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长,“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长,“L”是谐振器长度,并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。
  • 半导体激光设备-201010209731.9
  • 吉田雄太;狩野祥男;横山隆浩;中岛真;高濑英治 - 索尼公司
  • 2010-06-25 - 2011-01-12 - H01S5/16
  • 本发明设置一种半导体激光设备,其包括:以并行的带状布置的多个发光部;分别沿着发光部的顶面布置的多个第一电极;分别覆盖所述多个第一电极的整个表面并包括对应于所述第一电极的接触孔的绝缘膜;对应于所述第一电极布置在不同于所述多个发光部的位置的多个第二电极;分别布置在所述绝缘膜上,并通过所述接触孔电连接所述第二电极和对应的所述第一电极的多个布线层;分别在所述绝缘膜中为发光部布置以暴露第一电极的多个窗口区,其中至少两个窗口区具有互不相同的面积。本发明能在每个发光部中获取预定振荡波长并同时克服光束的波长拉长,并能使所有光束的振荡波长一致化。
  • 半导体激光装置及其制造方法-200980104444.7
  • 左文字克哉;川口真生;春日井秀纪 - 松下电器产业株式会社
  • 2009-10-14 - 2011-01-05 - H01S5/16
  • 本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20),该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14),并且具有带状的光波导路,该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b),该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。
  • 半导体激光器以及制造半导体激光器的方法-201010124930.X
  • 多田健太郎;远藤健司;深谷一夫;奥田哲朗;小林正英 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-03-01 - 2010-09-01 - H01S5/16
  • 本发明提供一种半导体激光器以及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器,其中,(λa-λw)>(大于)15(nm)且Lt小于25(μm),这里,“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长,“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长,“L”是谐振器长度,并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top