[发明专利]一种半导体碳纳米管阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201010201344.0 | 申请日： | 2010-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101857461A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王雪深;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;C03C17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面涂布一层催化剂前驱体；将涂布有催化剂前驱体的基底置于石英管中，然后将石英管置于反应炉内，加热所述基底至第一温度并保持一定时间；继续加热所述基底至第二温度并保持一定时间后，向所述反应炉内通入保护气体以排除反应炉内的空气；在保护气体下，引入还原气体并保持一定时间；向反应炉内通入载气气体与碳源气体的混合气并继续加热，在所述基底表面生长半导体碳纳米管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的一表面形成一催化剂前驱体，所述催化剂前驱体含有动物血液；将所述形成有催化剂前驱体的基底置于反应炉内，加热所述基底至第一温度并保持预定时间，以去除催化剂前驱体中的有机物并使催化剂前驱体中的铁元素氧化；在保护气体下，向反应炉内通入还原气体，对所述形成有催化剂前驱体的基底加热至第二温度并保持预定时间，以使催化剂前驱体中的铁元素还原；向反应炉中通入载气气体与碳源气体的混合气，在所述基底形成有催化剂前驱体的表面生长半导体碳纳米管阵列。
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