[发明专利]一种半导体碳纳米管阵列的制备方法

权利要求书

1.一种半导体碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底的一表面形成一催化剂前驱体，所述催化剂前驱体含有动物血液；

将所述形成有催化剂前驱体的基底置于反应炉内，加热所述基底至第一温度并保持预定时间，以去除催化剂前驱体中的有机物并使催化剂前驱体中的铁元素氧化；

在保护气体下，向反应炉内通入还原气体，对所述形成有催化剂前驱体的基底加热至第二温度并保持预定时间，以使催化剂前驱体中的铁元素还原；

向反应炉中通入载气气体与碳源气体的混合气，在所述基底形成有催化剂前驱体的表面生长半导体碳纳米管阵列。

2.如权利要求1所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，形成催化剂前驱体之前，进一步包括一将该动物血液进行稀释的步骤。

3.如权利要求2所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，将动物血液进行稀释所用的溶剂为生理盐水、蒸馏水、去离子水中的一种或几种的混合物。

4.如权利要求2所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，对所述动物血液进行稀释时溶剂与动物血液的体积比为1∶0.1～1∶10。

5.如权利要求1所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂前驱体采用旋涂法形成于基底之上。

6.如权利要求5所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述旋涂法的旋涂转速为4000～5000转/分钟，旋涂时间为30秒～2分钟。

7.如权利要求1所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述第一温度为400～800摄氏度，其保持时间为5～30分钟。

8.如权利要求1所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该保护气体为氮气、氩气或其它惰性气体中的一种或几种。

9.如权利要求1所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该第二温度为800～1100摄氏度，其保持时间为10～30分钟。

10.如权利要求1所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该载气为氢气、氮气、氩气或其它惰性气体中的一种或几种。

11.如权利要求1所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该碳源气体为甲烷、乙烷、乙炔及乙烯的一种或几种的混合物。

12.如权利要求1所述的半导体碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该碳纳米管阵列中半导体单壁碳纳米管的比例为80％～97％。