[发明专利]防止雾化的半导体装置及工艺无效
| 申请号： | 201010198687.6 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102214547A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 黄沛霖;王逸铭;黄浚彦 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种防止雾化的半导体装置及工艺，其在光掩模的不透光区上涂布光触媒层，当曝光时，照射于晶片上的光源也同时照射光触媒层，使得光触媒层活化而移除会形成雾化粒子的反应物，进而防止雾化现象，所以光掩模不需因为雾化而经常清洗，因此可降低清洗光掩模的费用也增长光掩模使用的期限。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 雾化 半导体 装置 工艺 | ||
【主权项】：
一种防止雾化的半导体工艺，包含：提供具有反应室的曝光机台，光触媒层设置于该反应室中；以及于该反应室中曝光晶片，并且同时活化该光触媒层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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