[发明专利]防止雾化的半导体装置及工艺

权利要求书

1.一种防止雾化的半导体工艺，包含：

提供具有反应室的曝光机台，光触媒层设置于该反应室中；以及

于该反应室中曝光晶片，并且同时活化该光触媒层。

2.如权利要求1所述的防止雾化的半导体工艺，其中该曝光机台包含设置于该反应室中的光掩模，并且该光触媒层涂布于该光掩模上。

3.如权利要求2所述的防止雾化的半导体工艺，其中该光掩模包含：

基板；

电路图案区，设于该基板上；以及

不透光区，围绕该电路图案区，其中该光触媒层涂布于该不透光区。

4.如权利要求3所述的防止雾化的半导体工艺，其中该光触媒层与该不透光区完全重叠。

5.如权利要求3所述的防止雾化的半导体工艺，其中该光掩模另包含对准标记，该对准标记设置于该基板的边缘。

6.如权利要求1所述的防止雾化的半导体工艺，其中该光触媒层选自下列材料构成的组：氧化钛、氧化锌、氧化锡、氧化锆、硫化镉和硫化锌。

7.一种防止雾化的半导体装置，包含：

基板；

电路图案区，设于该基板上；以及

光触媒层，设置于该基板上。

8.如权利要求7所述的防止雾化的半导体装置，另包含不透光区，该不透光区围绕该电路图案区，其中该光触媒层涂布于该不透光区。

9.如权利要求8所述的防止雾化的半导体装置，其中该光触媒层与该不透光区完全重叠。

10.如权利要求7所述的防止雾化的半导体装置，另包含对准标记，该对准标记设置于该基板的边缘。

11.如权利要求7所述的防止雾化的半导体装置，其中该光触媒层选自下列材料构成的组：氧化钛、氧化锌、氧化锡、氧化锆、硫化镉和硫化锌。

12.如权利要求11所述的防止雾化的半导体装置，其中该光触媒层为锐钛矿相氧化钛。