[发明专利]光半导体装置

摘要

具有光电转换功能的光半导体装置，具备：半导体基板，该半导体基板包含第1导电型的半导体层，在所述第1导电型的半导体层上形成的、具有受光面的第2导电型的半导体层，从所述第2导电型的半导体层的上面贯通该第2导电型的半导体层内后与所述第1导电型的半导体层相接地形成的第1导电型的接触层；电极对，该电极对由在所述接触层上设置的第1电极和在所述第2导电型的半导体层上而且与所述第1电极离开的位置上设置的第2电极构成，旨在取出对射入所述受光面的光进行光电转换后获得的电流；绝缘膜，该绝缘膜在所述第2导电型的半导体层上，而且在所述第1电极和所述第2电极之间的区域设置；第3电极，该第3电极在所述绝缘膜上设置。

主权项

一种光半导体装置，具有光电转换功能，具备：半导体基板，该半导体基板包含：第1导电型的半导体层、形成在所述第1导电型的半导体层上且具有受光面的第2导电型的半导体层、以从所述第2导电型的半导体层的上面起贯穿该第2导电型的半导体层内后与所述第1导电型的半导体层相接触的方式形成的第1导电型的接触层；电极对，该电极对由第1电极和第2电极构成，所述第1电极设置在所述接触层上，所述第2电极设置在所述第2导电型的半导体层上而且在离开所述第1电极的位置，该电极对用于取出对射入所述受光面的光进行光电转换后获得的电流；绝缘膜，该绝缘膜设置在所述第2导电型的半导体层上，而且在所述第1电极与所述第2电极之间的区域；和第3电极，该第3电极设置在所述绝缘膜上。