[发明专利]生产外延涂布的半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201010189426.8 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101930911A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳;R·柯博特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/306 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种生产外延涂布的半导体晶片的方法，依序包含以下步骤：(a)在半导体晶片的一侧沉积外延层；(b)通过用具有固定磨料的抛光片首次抛光半导体晶片的外延涂布的一侧，同时提供不含固体的抛光液；(c)通过用不含固定磨料的软质抛光片CMP抛光半导体晶片的外延涂布的一侧，同时提供抛光剂悬浮液；(d)在先前的外延涂布和抛光的半导体晶片一侧沉积另一层外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 外延 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种生产外延涂布的半导体晶片的方法，其依序包含以下步骤：(a)在半导体晶片的一侧上沉积外延层；(b)通过用具有固定磨料的抛光片首次抛光半导体晶片的外延涂布的一侧，同时提供不含固体的抛光液；(c)通过用不含固定磨料的软质抛光片CMP抛光半导体晶片的外延涂布的一侧，同时提供抛光剂悬浮液；(d)在先前的外延涂布和抛光的半导体晶片一侧沉积另一层外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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