[发明专利]自对准沟槽式功率半导体结构的制造方法

摘要

一种自对准沟槽式功率半导体结构的制造方法，包括下列步骤：a)形成一沟槽式多晶硅栅极结构于一硅基材内；b)形成一自对准多晶硅延伸结构由沟槽式多晶硅栅极结构向上延伸，此自对准多晶硅延伸结构的宽度小于沟槽式多晶硅栅极结构的宽度；c)氧化前述自对准多晶硅延伸结构，以形成一氧化硅突出结构于沟槽式多晶硅栅极结构上方；以及d)形成一间隔层结构(spacer)于氧化硅突出结构的侧边，以定义一源极接触窗于硅基材内。本发明所提供的制造方法利用自对准(Self-Alignment)的制程来缩小沟槽式多晶硅栅极结构与源极接触窗之间的间隔距离，能够克服微影制程的极限，有助于提升制程的良率控制，提高晶圆(Wafer)上不同位置的元件特性的均匀性，成本低且可行性高。

主权项

一种自对准沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：形成一沟槽式多晶硅栅极结构于一硅基材内；形成一自对准多晶硅延伸结构由该沟槽式多晶硅栅极结构向上延伸，该自对准多晶硅延伸结构的宽度小于该沟槽式多晶硅栅极结构的宽度；氧化该自对准多晶硅延伸结构，形成一氧化硅突出结构于该沟槽式多晶硅栅极结构上方；以及形成一第一间隔层结构于该氧化硅突出结构的侧边，以定义一源极接触窗。