[发明专利]一种用硅通孔互连形成的电感环无效
申请号: | 201010179375.0 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN101866908A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/522 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用硅通孔互连形成的电感环。采用硅通孔互连技术对硅通孔进行特殊的互连,形成的电感元件具有感值大、密度高等优点。而且,形成电感元件的硅通孔互连集成工艺与常规的硅通孔互连集成工艺兼容,不需要添加更多的工艺步骤,工艺过程简单而稳定。采用本发明的电感元件适用于各种芯片的硅通孔封装制造,特别是功率控制芯片和射频芯片的封装制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 用硅通孔 互连 形成 电感 | ||
【主权项】:
一种用于硅通孔互连形成的电感环,包括:一个半导体衬底;两个或两个以上完成通硅孔结构的硅片;其特征在于,还包括:在所述硅片的正面和背面形成的互连焊点;在所述半导体衬底上将所述硅片进行堆叠互连形成的电感元件。
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