[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法在审
申请号: | 201010177755.0 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN101924071A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 黄秀颀;邱勇;高孝裕;魏朝刚 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省昆山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法,尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。本发明技术方案采用先通过金属诱导结晶化或金属横向诱导结晶化,再固相结晶化的双重结晶化方式,在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的开关薄膜晶体管,在驱动区域中获得具有良好一致性的驱动薄膜晶体管,从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 有源 矩阵 有机 发光 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法,所述有源矩阵有机发光显示器包括:一基板;以及配置在该基板上的多个像素,呈矩阵排列;多条数据线,平行配置于像素之间;多条扫描线,平行配置于像素之间且与数据线垂直;所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域,所述开关区域内具有开关薄膜晶体管,所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管,所述制造方法包括以下步骤:在所述基板上设置一非晶硅层;通过金属诱导结晶化或金属诱导横向结晶化方法,将所述开关区域的所述非晶硅层转变为第一多晶硅层;利用固相结晶化方法对所述驱动区域的所述非晶硅层进行结晶化处理,形成第二多晶硅层;在所述开关区域的第一多晶硅层上制作开关薄膜晶体管,在所述驱动区域的第二多晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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