[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)已经普遍地应用在平面显示器上，例如，有源矩阵液晶显示器(AMLCD)、有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)等。该类型显示器一般是先在玻璃基板上沉积非晶硅层(a-Si)，然后通过热处理使非晶硅结晶以形成具有较平滑及较大晶粒的多晶硅膜(p-Si)，接下来利用多晶硅膜来制作薄膜晶体管(TFT)阵列。目前对于LTPS结晶化技术来说，金属诱导结晶化(MIC)、金属诱导横向结晶化(MILC)、固相结晶化(SPC)等都属于主流技术。其中采用MIC或MILC技术获得的TFT通常具有载流子迁移率高的特点，但一致性相对较差；而采用SPC技术获得的TFT通常一致性很好，但载流子迁移率相对较低。在AMLCD应用中，像素电路中的TFT只起到开关作用。而对于AMOLED应用来说，像素电路中的TFT按照功能可以分为用于驱动有机发光器件(OLED)的驱动TFT和起到开关作用的开关TFT两大类，其中驱动TFT因为要给OLED器件提供稳定的电流所以需要有很好的一致性，而开关TFT对一致性要求不高但需要有大的开关电流比，亦即高载流子迁移率。因此，单独采用MIC/MILC或SPC技术很难同时获得具有高载流子迁移率的开关TFT和很好一致性的驱动TFT，无法完全满足AMOLED的应用需求。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法。

本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的：

本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器，包括一基板；配置于该基板上的多个像素，并呈矩阵排列；平行配置于像素之间的多条数据线；平行配置于像 素之间且与数据线垂直的多条扫描线。上述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，上述开关区域内具有开关薄膜晶体管，上述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，且开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。

上述有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

在基板上设置一非晶硅层；

通过金属诱导结晶化或金属诱导横向结晶化方法，将所述开关区域的所述非晶硅层转变为第一多晶硅层；

再利用固相结晶化方法对所述驱动区域的所述非晶硅层进行结晶化处理，以形成第二多晶硅层；

在上述开关区域的第一多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在上述驱动区域的第二多晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。

本发明提供的有源矩阵有机发光显示器，像素内开关区域中的开关TFT具有高载流子迁移率，驱动区域中的驱动TFT具有良好的一致性，从而可以实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提升。

附图说明

图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图；

图2为图1中像素12的放大结构示意图；

图3A为本发明形成非晶硅层的示意图；

图3B为本发明形成第一多晶硅层的示意图；

图3C为本发明形成第二多晶硅层的示意图。

附图标记说明如下：

玻璃基板11        像素12

数据线13          扫描线14

开关区域21        驱动区域22

开关薄膜晶体管23  驱动薄膜晶体管24

存储电容25        有机发光器件26

玻璃基板31        缓冲层32

非晶硅层33        第一多晶硅层34

第二多晶硅层35

具体实施方式

为让本发明的上述内容更明显易懂，下文特举较佳实施例，并结合附图作详细说明如下。

实施例1

图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图，如图所示，该阵列基板包括玻璃基板11，配置于该基板上的多个像素12，并呈矩阵排列，平行配置于像素之间的多条数据线13，平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线14。图2为图1中像素12的放大结构示意图，如图所示，所述像素12的像素区域内具有一开关区域21和一驱动区域22，所述开关区域21内具有开关薄膜晶体管23，所述驱动区域22内具有驱动薄膜晶体管24，还包括存储电容25和有机发光器件26。所述驱动薄膜晶体管24的载流子迁移率约为30cm²/Vs，所述开关薄膜晶体管23的载流子迁移率约为60cm²/Vs。