[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201010177755.0 申请日: 2010-05-20
公开(公告)号: CN101924071A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 黄秀颀;邱勇;高孝裕;魏朝刚 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏省昆山*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 有源 矩阵 有机 发光 显示器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法,所述有源矩阵有机发光显示器包括:

一基板;

以及配置在该基板上的

多个像素,呈矩阵排列;

多条数据线,平行配置于像素之间;

多条扫描线,平行配置于像素之间且与数据线垂直;

所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域,

所述开关区域内具有开关薄膜晶体管,所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管,

所述制造方法包括以下步骤:

在所述基板上设置一非晶硅层;

通过金属诱导结晶化或金属诱导横向结晶化方法,将所述开关区域的所述非晶硅层转变为第一多晶硅层;

利用固相结晶化方法对所述驱动区域的所述非晶硅层进行结晶化处理,形成第二多晶硅层;

在所述开关区域的第一多晶硅层上制作开关薄膜晶体管,在所述驱动区域的第二多晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法,其特征在于,其中所述第一多晶硅层上制作的开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述第二多晶硅层上制作的驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。

3.如权利要求2所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法,其特征在于,其中所述开关区域的第一多晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率约为40-120cm2/Vs。

4.如权利要求2所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法,其特征在于,其中所述驱动区域的第二多晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率约为10-40cm2/Vs。

5.一种有源矩阵有机发光显示器,包括:

一基板; 

以及配置在该基板上的

多个像素,呈矩阵排列;

多条数据线,平行配置于像素之间;

多条扫描线,平行配置于像素之间且与数据线垂直;

所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域,

所述开关区域内具有开关薄膜晶体管,所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管,

其特征在于,其中所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。

6.如权利要求5所述的一种有源矩阵有机发光显示器,其特征在于,其中所述驱动薄膜晶体管的载流子迁移率约为10-40cm2/Vs。

7.如权利要求5所述的一种有源矩阵有机发光显示器,其特征在于,其中所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率约为40-120cm2/Vs。

8.一种移动通信设备,其特征在于,所述移动通讯设备包括如权利要求5所述的主动矩阵有机发光显示器。

9.一种视频播放设备,其特征在于,所述视频播放设备包括如权利要求5所述的主动矩阵有机发光显示器。

10.一种显示设备,其特征在于,所述显示设备包括如权利要求5所述的主动矩阵有机发光显示器。 

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