[发明专利]非易失性存储器件

摘要

本发明提供一种具有三维结构的非易失性存储器件。该非易失性存储器件可以包括：单元阵列，具有三维地布置在半导体基板上的线状的多个导电图案，单元阵列彼此分离；半导体图案，从半导体基板延伸以与导电图案的侧壁交叉；公共源极区，沿导电图案延伸的方向设置在半导体图案下部分之下的半导体基板中；第一杂质区，设置在半导体基板中，使得第一杂质区沿与导电图案交叉的方向延伸以电连接公共源极区；以及第一接触孔，暴露第一杂质区的在分离的单元阵列之间的部分。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：单元阵列，具有三维地布置在半导体基板上的线状的多个导电图案，所述单元阵列彼此分离；半导体图案，从所述半导体基板延伸以与所述导电图案的侧壁交叉；公共源极区，沿所述导电图案延伸的方向设置在所述半导体图案下部分之下的所述半导体基板中；第一杂质区，设置在所述半导体基板中，其中所述第一杂质区沿与所述导电图案交叉的方向延伸以电连接所述公共源极区；以及第一接触孔，暴露所述第一杂质区的在分离的单元阵列之间的部分。