[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法以及其基座的制造方法无效
申请号: | 201010160009.0 | 申请日: | 2010-04-29 |
公开(公告)号: | CN102237470A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 沈佳辉;洪梓健 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构,其包括基座、发光二极管芯片及封装体。所述发光二极管芯片覆晶在所述基座上,所述封装体包覆所述发光二极管芯片。所述基座包括一基板,所述基板上一体成型有凸起的挡墙,所述挡墙将所述基板表面分成相互间隔的第一粘合区和第二粘合区。所述第一粘合区上依次形成第一导电层和第一焊料,所述第二粘合区上依次形成第二导电层和第二焊料。在进行焊接发光二极管芯片时,所述挡墙能够阻挡所述第一焊料及第二焊料溢流。本发明的发光二极管封装结构的基板一体成型有挡墙,用以阻挡焊料的溢流,因此无需后期再制作挡墙,制作工艺更简单。本发明还提供一种发光二极管封装结构的制造方法以及其基座的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 基座 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,其包括基座、发光二极管芯片及封装体,所述发光二极管芯片覆晶在所述基座上,所述封装体包覆所述发光二极管芯片,其特征在于,所述基座包括一基板,所述基板上一体成型有凸起的挡墙,所述挡墙将所述基板表面分成相互间隔的第一粘合区和第二粘合区,所述第一粘合区上依次形成第一导电层和第一焊料,所述第二粘合区上依次形成第二导电层和第二焊料,在进行焊接发光二极管芯片时,所述挡墙能够阻挡所述第一焊料及第二焊料溢流。
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