[发明专利]一种低电压阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010158789.5 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101853922A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 高德金;黄如;张丽杰;邝永变;于哲;唐昱;潘越;唐粕人 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(SixOyNz)。本发明通过对标准CMOS工艺中后端的等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺进行参数调节，制备出和标准CMOS工艺完全兼容的氮氧硅单极阻变存储器，其可以在低温工艺下实现，同时达到了人为控制缺陷浓度的目的，从而得到了较低的阻变电压和阻变电流，在低压低功耗存储器方面，具有很高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其特征在于，阻变材料层为SixOyNz。
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