[发明专利]半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 201010158301.9 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101859798A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾;乡户宏充;宫永昭治 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据连接的元件的驱动电压决定晶体管的漏电压。随着晶体管的小型化集中在漏区的电场强度增高，而容易产生热载流子。目的之一在于提供在漏区中电场不容易集中的晶体管。此外，目的之一在于提供具有晶体管的显示装置。通过具有高导电率的第一布线层及第二布线层的端部不与栅电极层重叠，缓和在第一电极层及第二电极层附近电场集中的现象，而抑制载流子的产生，并将其电阻高于第一布线层及第二布线层的电阻的第一电极层及第二电极层用作漏电极层而构成晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底上的栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的第一电极层及第二电极层；所述第一电极层及所述第二电极层上的第一布线层及第二布线层，所述第一布线层电连接于所述第一电极层，所述第二布线层电连接于所述第二电极层；以及所述第一布线层及所述第二布线层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层接触于所述第一电极层及所述第二电极层的侧面及上面，其中，所述栅电极层与所述第一电极层及所述第二电极层的端部重叠且不与所述第一布线层及所述第二布线层重叠，所述第一电极层及所述第二电极层的导电率为所述氧化物半导体层的导电率以上，并且，所述第一电极层及所述第二电极层的导电率为所述第一布线层及所述第二布线层的导电率以下。
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