[发明专利]层叠型陶瓷电子元器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010157110.0 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN101861059A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 松原大悟 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H05K1/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫;胡烨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 层叠型陶瓷电子元器件包括:至少表面具有由铁氧体制成的铁氧体层而构成的陶瓷层叠体;以及形成于陶瓷层叠体的表面的外部电极,在该层叠型陶瓷电子元器件中,提高外部电极的接合强度。通过烧成,在成为具有外部电极的层叠型陶瓷电子元器件的半成品的层叠构造物中,使外部电极含有金属氧化物、例如与形成铁氧体的材料相同的材料。在烧成半成品的层叠构造物时,设置在氧分压低于大气中的氧分压的条件下实施烧成的低氧烧成阶段,利用金属氧化物的还原反应,使外部电极和与其接触的铁氧体层之间的化学反应性提高,得到处于牢固的接合状态的外部电极。
搜索关键词: 层叠 陶瓷 电子元器件 制造 方法
【主权项】:
一种层叠型陶瓷电子元器件的制造方法,该方法所制造的层叠型陶瓷电子元器件包括:至少表面具有由铁氧体制成的铁氧体层以构成的陶瓷层叠体;以及形成于所述陶瓷层叠体的表面且含有金属氧化物的外部电极,其特征在于,所述制造方法包括:通过烧成来准备成为具有所述外部电极的所述层叠型陶瓷电子元器件的半成品的层叠构造物的工序;以及烧成所述半成品的层叠构造物的烧成工序,所述烧成工序含有低氧烧成阶段,所述低氧烧成阶段在氧分压低于大气中的氧分压的条件下实施烧成。
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