[发明专利]层叠型陶瓷电子元器件的制造方法无效
申请号: | 201010157110.0 | 申请日: | 2010-03-31 |
公开(公告)号: | CN101861059A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 松原大悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H05K1/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫;胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 陶瓷 电子元器件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及层叠型陶瓷电子元器件的制造方法,特别涉及包括:至少表面具有由铁氧体制成的铁氧体层而构成的陶瓷层叠体、以及形成于该陶瓷层叠体的表面的外部电极的层叠型陶瓷电子元器件的制造方法。
背景技术
作为对于本发明关注的层叠型陶瓷电子元器件,例如有日本专利特开2007-173650号公报(专利文献1)披露的层叠型陶瓷电子元器件。参照图5及图6,说明该专利文献1披露的层叠型陶瓷电子元器件。图5是表示层叠型陶瓷电子元器件1的剖视图,图6是单独表示图5所示的外部电极2的俯视图。
层叠型陶瓷电子元器件1包括具有图5所示的层叠构造的陶瓷层叠体3。在图5中省略图示,但陶瓷层叠体3具有铁磁性铁氧体层被非磁性铁氧体层夹着的层叠构造。在陶瓷层叠体3的内部,例如设置用于形成线圈或布线路径的面内布线导体4或层间连接导体5。
另外,在陶瓷层叠体3的表面,形成外部电极(安装焊盘)2。在专利文献1披露的发明中,为了提高外部电极2对陶瓷层叠体3的接合强度,在外部电极2采用如下结构。外部电极2由第一导体部6及包围其周围的第二导体部7构成。第一导体部6例如由含有Ag这样的导电性金属粉末的导体糊料形成,第二导体部7由对上述导体糊料添加2价的金属氧化物而成的导体糊料形成。然后,对于由这些第一导体部6及第二导体部7制成的外部电极2的烧成,是在为了得到陶瓷层叠体3而烧成的同时进行烧成(co-fire:共烧)。
通过这样形成的外部电极2,在第一导体部6中确保良好的导电性,并利用含有2价的金属氧化物的第二导体部7,与陶瓷层叠体3之间实现牢固的接合状态。
然而,对第二导体部7添加的金属氧化物与构成陶瓷层叠体3的表面的铁氧体的化学反应性比较低,因此,在烧成工序中,第二导体部7中的金属氧化物无法与铁氧体充分反应,不能对第二导体部7中提高对氧化物体3的接合强度的效果有太高期待。专利文献
专利文献1:日本专利特开2007-173650号公报
发明内容本发明要解决的问题
因此,本发明的目的在于提供一种解决如上所述的问题、可以提高外部电极的接合强度的层叠型陶瓷电子元器件的制造方法。用于解决问题的方法
本发明的制造方法,是面向制造层叠型陶瓷电子元器件的方法,所述层叠型陶瓷电子元器件包括:至少表面具有由铁氧体制成的铁氧体层而构成的陶瓷层叠体;以及形成于陶瓷层叠体的表面且含有金属氧化物的外部电极,所述制造方法包括:通过烧成准备成为具有所述外部电极的层叠型陶瓷电子元器件的半成品的层叠构造物的工序;以及烧成该半成品的层叠构造物的烧成工序,为解决所述技术问题,所述制造方法的特征在于,烧成工序含有低氧烧成阶段,该低氧烧成阶段在氧分压低于大气中的氧分压的条件下实施烧成。
本发明的优选方案是,在所述低氧烧成阶段中,设氧浓度为10体积%以下。
另外,优选的方案是金属氧化物的材料与形成所述铁氧体的材料相同。
另外,优选的方案是,半成品的层叠构造物的外部电极所含有的金属氧化物的含有量在0.1~10重量%的范围内。
另外,优选的方案是,半成品的层叠构造物在内部具有内部布线导体时,使该内部布线导体中不含有金属氧化物。发明的效果
根据本发明,在烧成工序所含有的低氧烧成阶段中,外部电极中的金属氧化物被还原,据此,提高陶瓷层叠体的表面的铁氧体与外部电极之间的化学反应性。其结果是,在烧成后的层叠型陶瓷电子元器件中,提高外部电极对陶瓷层叠体的接合强度。
在低氧烧成阶段中,若设氧浓度为10体积%以下,则可以使外部电极中的金属氧化物的还原反应更可靠地产生。
在金属氧化物的材料与形成构成陶瓷层叠体表面的铁氧体的材料相同时,可以进一步提高构成陶瓷层叠体表面的铁氧体与外部电极之间的化学反应性。
若半成品的层叠构造物的外部电极所含有的金属氧化物的含有量选择在0.1~10重量%的范围内,则可以可靠得到提高化学反应性的效果,并且可以防止外部电极的导电性显著下降。
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