[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201010151185.8 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101847582A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王敬;郭磊;谭桢;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成伪栅堆叠，以及在伪栅堆叠两侧形成一层或多层侧墙；注入形成源极和漏极，并对源极和漏极进行高温退火激活；去除伪栅堆叠；刻蚀伪栅堆叠之下的所述衬底以形成沟槽；在沟槽中形成沟道应变层；在沟道应变层之上形成栅堆叠。本发明实施例在对源极和漏极高温退火激活之后再通过后栅(gate last)工艺形成沟道应变层，从而能够确保高温和低温步骤之间不相互影响，因此本发明不仅能够保证沟道应变层的性能，还能够确保源极和漏极的激活率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成伪栅堆叠，以及在所述伪栅堆叠两侧形成一层或多层侧墙；注入形成源极和漏极，并对所述源极和漏极进行高温退火激活；去除所述伪栅堆叠；刻蚀所述伪栅堆叠之下的所述衬底以形成沟槽；在所述沟槽中形成沟道应变层；在所述沟道应变层之上形成栅堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
