[发明专利]GaN基MOSFET及其制备方法无效
| 申请号： | 201010147721.7 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101819995A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘治国;高立刚;汤振杰;夏奕东;殷江 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 周静 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流，并应用于制备信息存储和金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料中。 | ||
| 搜索关键词： | gan mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，其特征在于，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。
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