[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种解决在使用具有绝缘表面的衬底的情况下有可能发生的问题的半导体装置。该半导体装置包括：具有绝缘表面的基底衬底；绝缘表面上的导电层；导电层上的绝缘层；绝缘层上的包括沟道形成区、第一杂质区、第二杂质区、以及沟道形成区与第二杂质区之间的第三杂质区的半导体层；覆盖半导体层的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的栅电极；电连接到第一杂质区的第一电极；以及电连接到第二杂质区的第二电极，其中，导电层被保持为规定电位。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：对接合衬底照射离子，从而在所述接合衬底中形成脆化区；在具有绝缘表面的基底衬底上形成导电层；将所述接合衬底和所述导电层粘合在一起且在所述接合衬底和所述导电层之间隔着绝缘层；对所述接合衬底进行加热，并且在所述脆化区中分离所述接合衬底，从而在所述基底衬底上形成所述导电层、所述绝缘层以及半导体层的叠层结构；对所述半导体层进行图案化，并且形成岛状半导体层；在所述岛状半导体层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅电极；形成第一杂质区、第二杂质区、以及第三杂质区；以及形成电连接到所述第一杂质区的第一电极和电连接到所述第二杂质区的第二电极，其中，在沟道形成区和所述第二杂质区之间设置所述第三杂质区。