[发明专利]一种微纳结构硅材料的制备系统与制备方法无效
| 申请号: | 201010146042.8 | 申请日: | 2010-04-13 |
| 公开(公告)号: | CN101819927A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
| 发明(设计)人: | 朱亦鸣;彭滟;温雅;阮邵崧;许丽兰;张大伟;陈麟;曹剑炜;倪争技;庄松林 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/3065;B28D5/00;B23K26/12 |
| 代理公司: | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人: | 宁芝华 |
| 地址: | 20009*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 一种微纳结构硅材料的制备系统,特点是:反射镜、连续可调衰减片、光快门、透镜和三维调整台固定在光学平台上,不锈钢长腔真空室安装在三维调整台上,不锈钢长腔真空室前端有窗片,其内部的后表面粘贴有硅片,外部与真空室充气管道连接,所述管道上设置有两个微调阀,光快门通过导线与脉冲计数器连接。通过连续可调衰减片调节入射激光功率,配合使用脉冲计数器准确控制蚀刻的脉冲数量,并利用微调阀门调节真空室内气体压强,最终实现各种不同形貌的微纳结构硅材料的形成。本发明生产工艺简单,操作便捷,所得微纳结构的硅材料具有跨度超过2500nm的吸收光谱,且反射率低于10%。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 结构 材料 制备 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种微纳结构硅材料的制备系统,包括钛宝石飞秒激光器、反射镜、连续可调衰减片、光快门、透镜、不锈钢长腔真空室和三维调整台,其特征在于:反射镜、连续可调衰减片、光快门、透镜和三维调整台固定在光学平台上,不锈钢真空室安装在三维调整台上,所述的不锈钢真空室前端设置有窗片,不锈钢长腔真空室内部的后表面粘贴有硅片,不锈钢长腔真空室与外部的真空室充气管道连接,所述的真空室充气管道上设置有两个微调阀,光快门通过导线与脉冲计数器连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





