[发明专利]一种微纳结构硅材料的制备系统与制备方法无效
| 申请号： | 201010146042.8 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101819927A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 朱亦鸣;彭滟;温雅;阮邵崧;许丽兰;张大伟;陈麟;曹剑炜;倪争技;庄松林 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/3065;B28D5/00;B23K26/12 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 材料 制备 系统 方法 | ||
1.一种微纳结构硅材料的制备系统，包括钛宝石飞秒激光器、反射镜、连续可调衰减片、 光快门、透镜、不锈钢长腔真空室和三维调整台，其特征在于：反射镜、连续可调衰减片、 光快门、透镜和三维调整台固定在光学平台上，不锈钢真空室安装在三维调整台上，所述的 不锈钢真空室前端设置有窗片，不锈钢长腔真空室内部的后表面粘贴有硅片，不锈钢长腔真 空室与外部的真空室充气管道连接，所述的真空室充气管道上设置有两个微调阀，光快门通 过导线与脉冲计数器连接，所述的钛宝石飞秒激光器频率为1kHz，脉宽范围在35～45fs的 超短激光脉冲。
2.一种微纳结构硅材料的制备方法，其特征在于：采用钛宝石飞秒激光器，将重复产生 的频率为1kHz，脉宽范围在35～45fs的超短激光脉冲，通过反射镜引入系统，之后沿光路 方向，通过连续可调衰减片调节激光功率，利用脉冲计数器控制光快门开关时间，控制脉冲 个数，经透镜聚焦后，与充气管道回填的背景气体与硅片的化学作用，将能量辐射在硅片表 面，通过控制透镜与硅片间距离可以改变光斑直径，从而改变能量密度。
3.根据权利要求1所述的一种微纳结构硅材料的制备系统，其特征在于：不锈钢真空室 呈圆柱状，腔室前端窗片厚度为0.4mm的超薄窗片，腔室长度大于20cm。
4.根据权利要求1所述的一种微纳结构硅材料的制备系统，其特征在于：在真空室的充 气管道上两个微调阀之间间隔为10cm。
5.根据权利要求1所述的一种微纳结构硅材料的制备系统，其特征在于：入射到窗片上 的光斑直径在150μm到200μm之间为最佳，因此透镜与硅片间距离在86cm到90cm之间为 最佳。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
